شراء Infineon Technologies IRF60DM206 MOSFET N-CH 60V 130A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

IRF60DM206

MOSFET N-CH 60V 130A

رقم القطعة

IRF60DM206

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

StrongIRFET™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

DirectFET™ Isometric ME

حزمة جهاز المورد

DirectFET™ Isometric ME

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

96W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

130A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

2.9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.7V @ 150µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

200nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6530pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

6V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 45295 PCS

معلومات الاتصال