قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRF6674TR1PBF

IRF6674TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
رقم القطعة
IRF6674TR1PBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
DirectFET™ Isometric MZ
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MZ
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
11 mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.9V @ 100µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 8572 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIRF6674TR1PBF
IRF6674TR1PBF مكونات الكترونية
IRF6674TR1PBF مبيعات
IRF6674TR1PBF المورد
IRF6674TR1PBF موزع
IRF6674TR1PBF جدول البيانات
IRF6674TR1PBF الصور
IRF6674TR1PBF سعر
IRF6674TR1PBF يعرض
IRF6674TR1PBF أقل سعر
IRF6674TR1PBF يبحث
IRF6674TR1PBF شراء
IRF6674TR1PBF رقاقة