شراء Infineon Technologies IRF6798MTR1PBF MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

IRF6798MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

رقم القطعة

IRF6798MTR1PBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

HEXFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

DirectFET™ Isometric MX

حزمة جهاز المورد

DIRECTFET™ MX

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

Schottky Diode (Body)

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

25V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

37A (Ta), 197A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

1.3 mOhm @ 37A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.35V @ 150µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

75nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6560pF @ 13V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 8319 PCS

معلومات الاتصال