شراء Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SPB02N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263

رقم القطعة

SPB02N60S5ATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

CoolMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

PG-TO263-3-2

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

25W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

1.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

5.5V @ 80µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

9.5nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

240pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 41135 PCS

معلومات الاتصال