قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH
رقم القطعة
IXFA12N65X2
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
-
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1134pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 13070 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFA12N65X2
IXFA12N65X2 مكونات الكترونية
IXFA12N65X2 مبيعات
IXFA12N65X2 المورد
IXFA12N65X2 موزع
IXFA12N65X2 جدول البيانات
IXFA12N65X2 الصور
IXFA12N65X2 سعر
IXFA12N65X2 يعرض
IXFA12N65X2 أقل سعر
IXFA12N65X2 يبحث
IXFA12N65X2 شراء
IXFA12N65X2 رقاقة