شراء IXYS IXFQ10N80P MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

رقم القطعة

IXFQ10N80P

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

IXYS

مسلسل

HiPerFET™, PolarHT™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-3P-3, SC-65-3

حزمة جهاز المورد

TO-3P

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

300W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

800V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

1.1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

5.5V @ 2.5mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

40nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2050pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 30173 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P