قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
PMZB200UNEYL
MOSFET N-CH 30V SOT883
رقم القطعة
PMZB200UNEYL
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
3-XFDFN
حزمة جهاز المورد
DFN1006B-3
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
950mV @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
89pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.5V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 30419 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لPMZB200UNEYL
PMZB200UNEYL مكونات الكترونية
PMZB200UNEYL مبيعات
PMZB200UNEYL المورد
PMZB200UNEYL موزع
PMZB200UNEYL جدول البيانات
PMZB200UNEYL الصور
PMZB200UNEYL سعر
PMZB200UNEYL يعرض
PMZB200UNEYL أقل سعر
PMZB200UNEYL يبحث
PMZB200UNEYL شراء
PMZB200UNEYL رقاقة