شراء Nexperia USA Inc. PMZB370UNE,315 MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

PMZB370UNE,315

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

رقم القطعة

PMZB370UNE,315

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Nexperia USA Inc.

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

3-XFDFN

حزمة جهاز المورد

3-DFN1006B (0.6x1)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

900mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

490 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.05V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

1.16nC @ 15V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

78pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

1.8V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±8V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 23224 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883