شراء NXP USA Inc. PHB38N02LT,118 MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

PHB38N02LT,118

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

رقم القطعة

PHB38N02LT,118

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

NXP USA Inc.

مسلسل

TrenchMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

D2PAK

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

57.6W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

44.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

16 mOhm @ 25A, 5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

15.1nC @ 5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

800pF @ 20V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V, 5V

في جي إس (الحد الأقصى)

12V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 54851 PCS

معلومات الاتصال