شراء NXP USA Inc. PHD37N06LT,118 MOSFET N-CH 55V 37A DPAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

PHD37N06LT,118

MOSFET N-CH 55V 37A DPAK

رقم القطعة

PHD37N06LT,118

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

NXP USA Inc.

مسلسل

TrenchMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

DPAK

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

100W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

55V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

37A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

32 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

22.5nC @ 5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1400pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±13V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 43303 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

PHD3055E,118

MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK