شراء NXP USA Inc. PHN210,118 MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

PHN210,118

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

رقم القطعة

PHN210,118

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

NXP USA Inc.

مسلسل

TrenchMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

-65°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

أقصى القوة

حزمة جهاز المورد

8-SO

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

Rds On (Max) @ Id، Vgs

100 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.8V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

6nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

250pF @ 20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 9755 PCS

معلومات الاتصال