شراء NXP USA Inc. PMWD19UN,518 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

PMWD19UN,518

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

رقم القطعة

PMWD19UN,518

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

NXP USA Inc.

مسلسل

TrenchMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

أقصى القوة

2.3W

حزمة جهاز المورد

8-TSSOP

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

5.6A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

700mV @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

28nC @ 5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1478pF @ 10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 34840 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP