شراء ON Semiconductor 1N4446TR DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

1N4446TR

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

رقم القطعة

1N4446TR

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

DO-204AH, DO-35, Axial

حزمة جهاز المورد

DO-35

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

200mA

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1V @ 20mA

التيار - التسرب العكسي عند Vr

25nA @ 20V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

100V

سرعة

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

عكس وقت الاسترداد (trr)

4ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

175°C (Max)

السعة @ Vr، F

4pF @ 0V, 1MHz

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 20740 PCS

معلومات الاتصال