شراء ON Semiconductor EFC6601R-A-TR MOSFET 2N-CH EFCP

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

EFC6601R-A-TR

MOSFET 2N-CH EFCP

رقم القطعة

EFC6601R-A-TR

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-XFBGA, FCBGA

أقصى القوة

حزمة جهاز المورد

EFCP2718-6CE-020

نوع فيت

2 N-Channel (Dual) Common Drain

ميزة FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

Rds On (Max) @ Id، Vgs

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

48nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 5234 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

EFC6601R-A-TR

MOSFET 2N-CH EFCP