شراء ON Semiconductor FDC855N MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

رقم القطعة

FDC855N

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

PowerTrench®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

حزمة جهاز المورد

SuperSOT™-6

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.6W (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

6.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

27 mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

13nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

655pF @ 15V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 10154 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT