شراء ON Semiconductor FDD3510H MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

FDD3510H

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

رقم القطعة

FDD3510H

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

PowerTrench®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

أقصى القوة

1.3W

حزمة جهاز المورد

TO-252-4L

نوع فيت

N and P-Channel, Common Drain

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

80V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

4.3A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

80 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

18nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

800pF @ 40V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 26422 PCS

معلومات الاتصال