شراء ON Semiconductor FDI150N10 MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

FDI150N10

MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

رقم القطعة

FDI150N10

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

PowerTrench®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

حزمة جهاز المورد

I2PAK (TO-262)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

110W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

57A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

16 mOhm @ 49A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

69nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4760pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 28659 PCS

معلومات الاتصال