قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FDZ201N
MOSFET N-CH 20V 9A BGA
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
12-BGA (2x2.5)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
18 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1127pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
2.5V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±12V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 20702 PCS