قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQB3N90TM
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
رقم القطعة
FQB3N90TM
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D²PAK (TO-263AB)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
900V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.25 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
910pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 15342 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQB3N90TM
FQB3N90TM مكونات الكترونية
FQB3N90TM مبيعات
FQB3N90TM المورد
FQB3N90TM موزع
FQB3N90TM جدول البيانات
FQB3N90TM الصور
FQB3N90TM سعر
FQB3N90TM يعرض
FQB3N90TM أقل سعر
FQB3N90TM يبحث
FQB3N90TM شراء
FQB3N90TM رقاقة