قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQB50N06LTM
MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
رقم القطعة
FQB50N06LTM
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D²PAK (TO-263AB)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
21 mOhm @ 26.2A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1630pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 27614 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQB50N06LTM
FQB50N06LTM مكونات الكترونية
FQB50N06LTM مبيعات
FQB50N06LTM المورد
FQB50N06LTM موزع
FQB50N06LTM جدول البيانات
FQB50N06LTM الصور
FQB50N06LTM سعر
FQB50N06LTM يعرض
FQB50N06LTM أقل سعر
FQB50N06LTM يبحث
FQB50N06LTM شراء
FQB50N06LTM رقاقة