شراء ON Semiconductor FQB630TM MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

FQB630TM

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

رقم القطعة

FQB630TM

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

QFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

D²PAK (TO-263AB)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.13W (Ta), 78W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

200V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

25nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

550pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±25V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 9600 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

FQB630TM

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK