FQD5N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
رقم القطعة
FQD5N20LTM
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
D-Pak
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.2nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
325pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 5295 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQD5N20LTM
FQD5N20LTM مكونات الكترونية
FQD5N20LTM مبيعات
FQD5N20LTM المورد
FQD5N20LTM موزع
FQD5N20LTM جدول البيانات
FQD5N20LTM الصور
FQD5N20LTM سعر
FQD5N20LTM يعرض
FQD5N20LTM أقل سعر
FQD5N20LTM يبحث
FQD5N20LTM شراء
FQD5N20LTM رقاقة