FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
رقم القطعة
FQD8P10TM
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
D-Pak
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
470pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 11427 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQD8P10TM
FQD8P10TM مكونات الكترونية
FQD8P10TM مبيعات
FQD8P10TM المورد
FQD8P10TM موزع
FQD8P10TM جدول البيانات
FQD8P10TM الصور
FQD8P10TM سعر
FQD8P10TM يعرض
FQD8P10TM أقل سعر
FQD8P10TM يبحث
FQD8P10TM شراء
FQD8P10TM رقاقة