قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQI6N50TU

FQI6N50TU

MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK
رقم القطعة
FQI6N50TU
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
حزمة جهاز المورد
I2PAK (TO-262)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.3 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
790pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 54251 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لFQI6N50TU
FQI6N50TU مكونات الكترونية
FQI6N50TU مبيعات
FQI6N50TU المورد
FQI6N50TU موزع
FQI6N50TU جدول البيانات
FQI6N50TU الصور
FQI6N50TU سعر
FQI6N50TU يعرض
FQI6N50TU أقل سعر
FQI6N50TU يبحث
FQI6N50TU شراء
FQI6N50TU رقاقة