قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQPF10N60C
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
رقم القطعة
FQPF10N60C
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220F
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
730 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2040pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 6640 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQPF10N60C
FQPF10N60C مكونات الكترونية
FQPF10N60C مبيعات
FQPF10N60C المورد
FQPF10N60C موزع
FQPF10N60C جدول البيانات
FQPF10N60C الصور
FQPF10N60C سعر
FQPF10N60C يعرض
FQPF10N60C أقل سعر
FQPF10N60C يبحث
FQPF10N60C شراء
FQPF10N60C رقاقة