قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQPF3N80
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
رقم القطعة
FQPF3N80
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220F
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
39W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
800V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
5 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
690pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 18193 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQPF3N80
FQPF3N80 مكونات الكترونية
FQPF3N80 مبيعات
FQPF3N80 المورد
FQPF3N80 موزع
FQPF3N80 جدول البيانات
FQPF3N80 الصور
FQPF3N80 سعر
FQPF3N80 يعرض
FQPF3N80 أقل سعر
FQPF3N80 يبحث
FQPF3N80 شراء
FQPF3N80 رقاقة