FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
رقم القطعة
FQT7N10LTF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-261-4, TO-261AA
حزمة جهاز المورد
SOT-223-4
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
290pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 42545 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQT7N10LTF
FQT7N10LTF مكونات الكترونية
FQT7N10LTF مبيعات
FQT7N10LTF المورد
FQT7N10LTF موزع
FQT7N10LTF جدول البيانات
FQT7N10LTF الصور
FQT7N10LTF سعر
FQT7N10LTF يعرض
FQT7N10LTF أقل سعر
FQT7N10LTF يبحث
FQT7N10LTF شراء
FQT7N10LTF رقاقة