قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQU10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
رقم القطعة
FQU10N20CTU
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
I-PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
510pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46783 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQU10N20CTU
FQU10N20CTU مكونات الكترونية
FQU10N20CTU مبيعات
FQU10N20CTU المورد
FQU10N20CTU موزع
FQU10N20CTU جدول البيانات
FQU10N20CTU الصور
FQU10N20CTU سعر
FQU10N20CTU يعرض
FQU10N20CTU أقل سعر
FQU10N20CTU يبحث
FQU10N20CTU شراء
FQU10N20CTU رقاقة