شراء ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A IGBT 600V 6A 33W TO252AA

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

HGTD3N60C3S9A

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

رقم القطعة

HGTD3N60C3S9A

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع الإدخال

Standard

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

أقصى القوة

33W

حزمة جهاز المورد

TO-252AA

عكس وقت الاسترداد (trr)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

600V

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 3A

التيار - النبض المجمع (Icm)

24A

تبديل الطاقة

85µJ (on), 245µJ (off)

اجره البوابه

10.8nC

Td (تشغيل/إيقاف) عند 25 درجة مئوية

شرط الاختبار

480V, 3A, 82 Ohm, 15V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 22448 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA