شراء ON Semiconductor NSVB123JPDXV6T1G TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

NSVB123JPDXV6T1G

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

رقم القطعة

NSVB123JPDXV6T1G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-563, SOT-666

أقصى القوة

500mW

حزمة جهاز المورد

SOT-563

نوع الترانزستور

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

50V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

500nA

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

التردد - الانتقال

المقاوم - القاعدة (R1)

2.2 kOhms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

4.7 kOhms

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 16249 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

NSVB114YPDXV6T1G

TRANS BRT 50V 100MA SOT563