شراء ON Semiconductor NSVIMD10AMT1G SURF MT BIASED RES XSTR

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

NSVIMD10AMT1G

SURF MT BIASED RES XSTR

رقم القطعة

NSVIMD10AMT1G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

Automotive, AEC-Q101

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

أقصى القوة

285mW

حزمة جهاز المورد

SC-74R

نوع الترانزستور

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

500mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

50V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

500nA

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V

التردد - الانتقال

المقاوم - القاعدة (R1)

13 kOhms, 130 Ohms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

10 kOhms

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 53984 PCS

معلومات الاتصال