قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NTD40N03R-1G
MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK
رقم القطعة
NTD40N03R-1G
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
I-PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta), 50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
16.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.78nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
584pF @ 20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 19580 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لNTD40N03R-1G
NTD40N03R-1G مكونات الكترونية
NTD40N03R-1G مبيعات
NTD40N03R-1G المورد
NTD40N03R-1G موزع
NTD40N03R-1G جدول البيانات
NTD40N03R-1G الصور
NTD40N03R-1G سعر
NTD40N03R-1G يعرض
NTD40N03R-1G أقل سعر
NTD40N03R-1G يبحث
NTD40N03R-1G شراء
NTD40N03R-1G رقاقة