NVF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
رقم القطعة
NVF3055-100T1G
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-261-4, TO-261AA
حزمة جهاز المورد
SOT-223
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
455pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 36842 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لNVF3055-100T1G
NVF3055-100T1G مكونات الكترونية
NVF3055-100T1G مبيعات
NVF3055-100T1G المورد
NVF3055-100T1G موزع
NVF3055-100T1G جدول البيانات
NVF3055-100T1G الصور
NVF3055-100T1G سعر
NVF3055-100T1G يعرض
NVF3055-100T1G أقل سعر
NVF3055-100T1G يبحث
NVF3055-100T1G شراء
NVF3055-100T1G رقاقة