NVMD3P03R2G
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
رقم القطعة
NVMD3P03R2G
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
730mW
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
نوع فيت
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2.34A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750pF @ 24V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 14290 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لNVMD3P03R2G
NVMD3P03R2G مكونات الكترونية
NVMD3P03R2G مبيعات
NVMD3P03R2G المورد
NVMD3P03R2G موزع
NVMD3P03R2G جدول البيانات
NVMD3P03R2G الصور
NVMD3P03R2G سعر
NVMD3P03R2G يعرض
NVMD3P03R2G أقل سعر
NVMD3P03R2G يبحث
NVMD3P03R2G شراء
NVMD3P03R2G رقاقة