شراء Renesas Electronics America NP100P06PDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

NP100P06PDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

رقم القطعة

NP100P06PDG-E1-AY

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Renesas Electronics America

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

TO-263

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.5V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

300nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

15000pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 27482 PCS

معلومات الاتصال