شراء Renesas Electronics America RJK6002DPH-E0#T2 MOSFET N-CH 600V 2A TO251

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

RJK6002DPH-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 2A TO251

رقم القطعة

RJK6002DPH-E0#T2

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Renesas Electronics America

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

حزمة جهاز المورد

TO-251

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

30W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

6.8 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

6.2nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

165pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 41959 PCS

معلومات الاتصال