شراء Renesas Electronics America RJK6025DPD-00#J2 MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

RJK6025DPD-00#J2

MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

رقم القطعة

RJK6025DPD-00#J2

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Renesas Electronics America

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

MP-3A

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

29.7W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

17.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

5V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

5nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

37.5pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 10151 PCS

معلومات الاتصال