قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
QS8K11TCR
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
رقم القطعة
QS8K11TCR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SMD, Flat Lead
أقصى القوة
1.5W
حزمة جهاز المورد
TSMT8
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.5A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.3nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
180pF @ 10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 16553 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لQS8K11TCR
QS8K11TCR مكونات الكترونية
QS8K11TCR مبيعات
QS8K11TCR المورد
QS8K11TCR موزع
QS8K11TCR جدول البيانات
QS8K11TCR الصور
QS8K11TCR سعر
QS8K11TCR يعرض
QS8K11TCR أقل سعر
QS8K11TCR يبحث
QS8K11TCR شراء
QS8K11TCR رقاقة