RD3U080CNTL1
NCH 250V 8A POWER MOSFET
رقم القطعة
RD3U080CNTL1
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
TO-252
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
250V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
300 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1440pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 47719 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لRD3U080CNTL1
RD3U080CNTL1 مكونات الكترونية
RD3U080CNTL1 مبيعات
RD3U080CNTL1 المورد
RD3U080CNTL1 موزع
RD3U080CNTL1 جدول البيانات
RD3U080CNTL1 الصور
RD3U080CNTL1 سعر
RD3U080CNTL1 يعرض
RD3U080CNTL1 أقل سعر
RD3U080CNTL1 يبحث
RD3U080CNTL1 شراء
RD3U080CNTL1 رقاقة