RF6C055BCTCR
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
رقم القطعة
RF6C055BCTCR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
TUMT6
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.2V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1080pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 34889 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لRF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR مكونات الكترونية
RF6C055BCTCR مبيعات
RF6C055BCTCR المورد
RF6C055BCTCR موزع
RF6C055BCTCR جدول البيانات
RF6C055BCTCR الصور
RF6C055BCTCR سعر
RF6C055BCTCR يعرض
RF6C055BCTCR أقل سعر
RF6C055BCTCR يبحث
RF6C055BCTCR شراء
RF6C055BCTCR رقاقة