RS1E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
رقم القطعة
RS1E150GNTB
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 22.9W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
8.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
590pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 21353 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لRS1E150GNTB
RS1E150GNTB مكونات الكترونية
RS1E150GNTB مبيعات
RS1E150GNTB المورد
RS1E150GNTB موزع
RS1E150GNTB جدول البيانات
RS1E150GNTB الصور
RS1E150GNTB سعر
RS1E150GNTB يعرض
RS1E150GNTB أقل سعر
RS1E150GNTB يبحث
RS1E150GNTB شراء
RS1E150GNTB رقاقة