STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
رقم القطعة
STB200N6F3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
STripFET™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
330W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
3.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6800pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 31357 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSTB200N6F3
STB200N6F3 مكونات الكترونية
STB200N6F3 مبيعات
STB200N6F3 المورد
STB200N6F3 موزع
STB200N6F3 جدول البيانات
STB200N6F3 الصور
STB200N6F3 سعر
STB200N6F3 يعرض
STB200N6F3 أقل سعر
STB200N6F3 يبحث
STB200N6F3 شراء
STB200N6F3 رقاقة