STS20N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
رقم القطعة
STS20N3LLH6
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
DeepGATE™, STripFET™ VI
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.7W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1690pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 18869 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSTS20N3LLH6
STS20N3LLH6 مكونات الكترونية
STS20N3LLH6 مبيعات
STS20N3LLH6 المورد
STS20N3LLH6 موزع
STS20N3LLH6 جدول البيانات
STS20N3LLH6 الصور
STS20N3LLH6 سعر
STS20N3LLH6 يعرض
STS20N3LLH6 أقل سعر
STS20N3LLH6 يبحث
STS20N3LLH6 شراء
STS20N3LLH6 رقاقة