قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
STW65N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 60A
رقم القطعة
STW65N65DM2AG
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
446W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
50 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5500pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±25V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 53614 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSTW65N65DM2AG
STW65N65DM2AG مكونات الكترونية
STW65N65DM2AG مبيعات
STW65N65DM2AG المورد
STW65N65DM2AG موزع
STW65N65DM2AG جدول البيانات
STW65N65DM2AG الصور
STW65N65DM2AG سعر
STW65N65DM2AG يعرض
STW65N65DM2AG أقل سعر
STW65N65DM2AG يبحث
STW65N65DM2AG شراء
STW65N65DM2AG رقاقة