شراء Taiwan Semiconductor Corporation 6A80GHB0G DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

6A80GHB0G

DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

رقم القطعة

6A80GHB0G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Taiwan Semiconductor Corporation

مسلسل

Automotive, AEC-Q101

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Bulk

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

R6, Axial

حزمة جهاز المورد

R-6

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1V @ 6A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

10µA @ 800V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

800V

سرعة

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-55°C ~ 150°C

السعة @ Vr، F

60pF @ 4V, 1MHz

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 20683 PCS

معلومات الاتصال