شراء Taiwan Semiconductor Corporation HS3B V6G DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

HS3B V6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

رقم القطعة

HS3B V6G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Taiwan Semiconductor Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

DO-214AB, SMC

حزمة جهاز المورد

DO-214AB (SMC)

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

التيار - التسرب العكسي عند Vr

10µA @ 100V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

100V

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

50ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-55°C ~ 150°C

السعة @ Vr، F

80pF @ 4V, 1MHz

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 29007 PCS

معلومات الاتصال