شراء Taiwan Semiconductor Corporation RS3J M6G DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

RS3J M6G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

رقم القطعة

RS3J M6G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Taiwan Semiconductor Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Not For New Designs

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

DO-214AB, SMC

حزمة جهاز المورد

DO-214AB (SMC)

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1.3V @ 3A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

10µA @ 600V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

600V

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

250ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-55°C ~ 150°C

السعة @ Vr، F

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 36818 PCS

معلومات الاتصال