شراء Taiwan Semiconductor Corporation US1J R3G DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

US1J R3G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

رقم القطعة

US1J R3G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Taiwan Semiconductor Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

DO-214AC, SMA

حزمة جهاز المورد

DO-214AC (SMA)

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1.7V @ 1A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

5µA @ 600V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

600V

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

75ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-55°C ~ 150°C

السعة @ Vr، F

10pF @ 4V, 1MHz

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 37361 PCS

معلومات الاتصال