شراء Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

2SK2009TE85LF

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

رقم القطعة

2SK2009TE85LF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

حزمة جهاز المورد

SC-59-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

200mW (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

2 Ohm @ 50MA, 2.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.5V @ 100µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

70pF @ 3V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 32845 PCS

معلومات الاتصال