شراء Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

BAS516,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

رقم القطعة

BAS516,H3F

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SC-79, SOD-523

حزمة جهاز المورد

ESC

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

250mA

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1.25V @ 150mA

التيار - التسرب العكسي عند Vr

200nA @ 80V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

100V

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

3ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

150°C (Max)

السعة @ Vr، F

0.35pF @ 0V, 1MHz

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 23686 PCS

معلومات الاتصال